Новости электроники

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта

Часть 18. Организационная система автоматизированной инспекции качества покрытий изделий электронной техники золотом и никелем методом рентгенофлуоресцентного анализа

Статья Евстифеева Юрия, Дормидошиной Дарьи, Рубцова Юрия, Ключникова Евгения, АО «ЦКБ «Дейтон», Ключникова Валерия, АО «Завод «Марс» в журнале "Электронные компоненты" №8/2026

В этой части статьи представлены результаты создания и внедрения организационной системы автоматизированной инспекции качества покрытий ИЭТ золотом и никелем методом рентгенофлуоресцентного анализа.

Статья по ссылке: https://russianelectronics.ru/razrabotka-i-vnedrenie-apak-dlya-poiska-defektov-izdelij-mikroelektroniki-s-pomoshhyu-iskusstvennogo-intellekta-chast-18/

Оформить подписку на журнал Электронные компоненты

Размещение материалов в журнале

#новостиэлектроники

Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND

Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память.

Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с памятью типа SRAM, увеличивающий доступный объём кеша третьего уровня.

В своём первом воплощении Z2RAM обещает плотность в пересчёте на бит более 5 раз выше, чем в случае с SRAM. Если кристалл SRAM может разместить только 64 Мбайт памяти, то Z2RAM в том же пространстве предлагает уже 320 Мбайт при сохранении пропускной способности на сопоставимом с SRAM уровне. Подобные объёмы вряд ли впечатляют на фоне флагманских ускорителей с памятью HBM, но для ускорителей на основе SRAM типа Nvidia Groq это будет существенным прогрессом. В частности, чипы Groq 3 типа LPU предлагают около 500 Мбайт памяти типа SRAM, и теоретически, при переходе на Z2RAM этот объём может быть увеличен в пять раз и более.

Подробнее: https://3dnews.ru/1150546/pamyat-budushchego-z2ram-obedinit-luchshee-ot-dram-sram-i-nand-v-razrabotku-vlogilsya-bivshiy-glava-intel

На Международной конференции по органоидному интеллекту в США австралийская компания Cortical Labs представила систему Hive («Улей»), которая объединяет 15 передовых биологических компьютеров CL1

В соответствии с поговоркой «одна голова — хорошо, а две — лучше», создатели этого биокомпьютера установили, что если объединить 15 искусственных мозгов, то входящие в их состав человеческие нейроны станут работать эффективнее.

Идея исследователей из Cortical Labs заключалась в том, что вместо использования одной установки, работающей на базе группы клеток головного мозга, задействовать командную работу, чтобы вывести решение задач и процесс обучения на качественно новый уровень. Разумеется, увеличение количества голов не всегда гарантирует успех, однако в случае с Hive отдельные модули CL1, по-видимому, распределили между собой различные аспекты поставленной задачи, найдя наиболее эффективный путь к достижению цели. Причем выращенные в лаборатории нейроны пришли к такому решению самостоятельно, когда стали частью более крупной сети, — никакого обучения они не проходили.

Подробнее: https://hightech.plus/2026/10/27/cortical-labs-obedinila-biokompyuteri-v-kollektivnii-razum

#новостиэлектроники

Микроскопические пружины превратили хрупкий кремний в гибкий метаматериал

Исследователи из Осакского научно-исследовательского института промышленных наук и технологий (ORIST) в сотрудничестве с Университетом Осаки и Университетом Тохоку разработали гибкий и растягивающийся кремниевый материал, чувствительность которого к терагерцовым волнам можно регулировать механически. Вытравив в кремнии микроскопические спиральные пружины, ученые сделали хрупкий материал гибким и растягивающимся.

Терагерцовые волны, частота которых находится в диапазоне между микроволнами и светом, могут использоваться для контроля материалов и в будущих системах беспроводной связи. Кремний используется для изготовления оптических компонентов с малыми потерями в терагерцовом диапазоне. Однако эти компоненты жесткие и могут легко сломаться при механическом воздействии.

Используя технологии изготовления микроэлектромеханических систем (МЭМС), исследователи вытравили на кремниевой пластине толщиной 200 мкм спиралевидные зазоры, сформировав пружинные элементы шириной около 10 мкм. Полученная кремниевая структура является самонесущей и не требует полимерной или металлической подложки. Ее эффективный показатель преломления, который определяется относительным соотношением и расположением кремния и воздуха, можно изменить путем деформации.

Терагерцовая спектроскопия во временной области показала, что удлинение структуры на 12,6 % снижает эффективный показатель преломления примерно на 6 % для поляризации, перпендикулярной направлению растяжения. Для поляризации, параллельной этому направлению, снижение составило 8 %. Эти различия в отклике показывают, что деформация может влиять на двойное лучепреломление материала, определяемое как разница в эффективном показателе преломления для двух поляризаций.

«Механическая деформация открывает новые возможности для терагерцовой кремниевой фотоники», — считают исследователи. «Дальнейшие исследования приведут к разработке настраиваемых терагерцовых интегральных схем с использованием технологии микроэлектромеханических систем».

#новостиэлектроники

Доменная печь: Минцифры может ввести лимит на потребление зарубежного трафика

Минцифры готовит очередные меры в рамках готовящейся реформы отрасли связи. Среди них — предложение пропускать весь трафик с зарубежных доменов через технические средства противодействия угрозам (ТСПУ) и ограничивать его объем для российских пользователей. Эксперты указывают на серьезные технологические сложности: отделить зарубежный трафик от российского крайне трудно. Особую озабоченность у участников рынка вызывают риски снижения связности Сети и ухудшения качества услуг связи

Подробнее: https://www.forbes.ru/tekhnologii/571083-domennaa-pec-mincifry-mozet-vvesti-limit-na-potreblenie-zarubeznogo-trafika

Разработан первый в мире вертикальный MOSFET -транзистор на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А и напряжением пробоя более 900 В

Оксид галлия, типичный полупроводниковый материал четвертого поколения, привлекает внимание разработчиков высоковольтных и высокоэффективных силовых устройств благодаря своей сверхширокой запрещенной зоне, высокому напряжению пробоя и низким потерям проводимости. Однако проблемы с легированием p-типа долгое время препятствовали его использованию в мощных устройствах и коммерциализации. Вертикальные MOSFET -транзисторы на основе оксида галлия, как правило, имеют ограничения по допустимому току, напряжению пробоя и току утечки.

По информации TrendForce, компания Jiachi Power Technology из Шанхая недавно добилась значительного успеха в этой области.

Компания, расположенная в кластере полупроводниковой промышленности четвертого поколения в Шанхае, завершила первый этап производства и проверки пластин для своих вертикальных MOSFET-транзисторов на основе оксида галлия.

Благодаря инновациям в структуре устройств и разработке собственных технологических процессов команда создала, по ее словам, первый в мире вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А и напряжением пробоя более 900 В, установив новые рекорды по нескольким ключевым показателям производительности на основе общедоступных данных.

Стабильное и контролируемое легирование p-типа долгое время было серьезной проблемой для полевых MOSFET-транзисторов на основе оксида галлия, предназначенных для применения в устройствах высокой мощности. В результате в ранее опубликованной научной литературе и отраслевых отчетах не упоминались вертикальные MOSFET-транзисторы на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А, что сдерживало их коммерциализацию.

Чтобы решить эту проблему, компания Jiachi добилась прогресса как в архитектуре устройств, так и в производственных процессах. Команда разработала собственные ячейки и структуры для полевых MOSFET-транзисторов, позволяющие точно контролировать внутреннюю геометрию устройства и распределение электрического поля для повышения стабильности и устойчивости к пробою.

Кроме того, компания разработала процесс самосовмещаемой ионной имплантации для канала полевого MOSFET-транзистора, что позволило решить проблемы, связанные с точным формированием канала и равномерным распределением легирующих примесей. В рамках этой работы был разработан специальный технологический процесс для мощных устройств на основе оксида галлия, после чего был проведен полный цикл изготовления и электрических испытаний.

Измерения показали, что пороговое напряжение составляет 3,9 В, что обеспечивает стабильную работу в режиме обогащения. Ток во включенном состоянии составил 1,2 А, а удельное сопротивление во включенном состоянии — 33 мОм·см².

Согласно обзору общедоступных исследований и отраслевых результатов, проведенному компанией, это первый вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия, ток во включенном состоянии которого превышает 1 А.

Устройство, рассчитанное на рабочее напряжение 750 В, продемонстрировало пробивное напряжение более 900 В при токе утечки менее 3 мкА. Показатели утечки приближаются к показателям современных коммерческих силовых устройств на основе кремния и карбида кремния, что устраняет ключевое ограничение технологии на основе оксида галлия.

Запатентованный процесс самоустанавливающейся ионной имплантации также закладывает основу для производства MOSFET-транзисторов из оксида галлия на уровне ампера и более высокой мощности, помогая заполнить пробел в разработке мощных устройств.

#новостиэлектоники

Найдены перспективные материалы для перестраиваемых фотонных чипов

Перспективные материалы для перестраиваемых фотонных чипов, переключаемых лазером, отобрала команда российских ученых в результате испытаний. В будущем технология может лечь в основу более совершенных систем для хранения, обработки и передачи информации с помощью света, включая энергонезависимую оптическую память, фотонные вычислители и оптические нейроморфные сети.

Особенность фазопеременных материалов — в том, что их структура может быть как кристаллической (упорядоченной), так и аморфной (неупорядоченной). Менять ее можно с помощью коротких лазерных импульсов, при этом после облучения образец сохранит приданное ему состояние. Это свойство позволяет кодировать информацию прямо в структуре материала.

В работе, представленной в престижном научном издании Materials Science in Semiconductor Processing, ученые испытали пять фазопеременных материалов на основе разных полупроводниковых соединений из германия (Ge) — сурьмы (Sb) — теллура (Te). Они наносились на волноводы — элементы фотонного чипа, по которым перемещается свет. Использование одинаковых волноводов из нитрида кремния позволило сопоставить возможности разных фазопеременных материалов, не меняя конструкцию самой интегральной схемы. По результатам испытаний исследователи отобрали перспективные составы, лучше и быстрее других меняющие прохождение света по волноводу.

Исследование подтвердило: эффективность управления светом на фотонном чипе напрямую зависит от состава соединения. Для точного подбора фазопеременного материала нужно учитывать целый комплекс параметров: скорость переключения, величину изменения сигнала, а также размеры ячейки на волноводе. Ученые подчеркивают, что при изменении деталей процесса — например, использовании волновода из другого материала или подаче лазерных импульсов с другой длиной волны — результат может измениться. Поэтому технологию нужно адаптировать к конкретным условиям.

Подробнее: https://scientificrussia.ru/articles/zapecatlet-informaciu-svetom-najdeny-perspektivnye-materialy-dla-perestraivaemyh-fotonnyh-cipov

#новостиэлектроники

AggreGate - как зонтик над сенсорными сетями для сбора и обработки данных

Доклад Романа Шиндина, руководителя отдела технического pre-sale AggreGate, на конференции IIoT -2026


https://vk.ru/video-177228143_456239498

В Китае пузырь искусственного интеллекта уже лопнул

Как сообщает Reuters, в то время как мировые акции технологических компаний колеблются, в Китае они уже рухнули из-за резкого снижения стоимости на фоне опасений по поводу спроса на искусственный интеллект и ограничений на китайский экспорт.

Обвал, в результате которого материковый индекс STAR50 компаний, занимающихся искусственным интеллектом и полупроводниками, упал на 40% менее чем за четыре месяца, а их рыночная стоимость сократилась на 480 миллиардов долларов, является дурным предзнаменованием для нестабильных мировых рынков и сдерживающим фактором для усилий Китая по привлечению сбережений в акции для финансирования бума в сфере искусственного интеллекта.

Это также привело к замедлению ралли, продолжавшегося два года, поскольку обещания экономического стимулирования привели к резкому росту акций, и остановило стремление Пекина разорвать порочный круг подъемов и спадов и создать «медленный бычий» рынок, демонстрирующий стабильную динамику. Китайский индекс «голубых фишек» (.CSI300), упал примерно на 20% по сравнению с июньскими максимумами.

«Позже фондовый рынок превратился в безумный спекулятивный бычий рынок», — сказал управляющий фондом из Пекина Дун Баочжэнь. «И вот мы видим, как пузырь лопается».

Разворот отражает рост, который достиг более высоких показателей, чем рынки на Западе или в других странах Азии, и по сравнению с акциями американских компаний, работающих в сфере искусственного интеллекта, которые привели к падению индекса Nasdaq на 6% с рекордного уровня, достигнутого три недели назад, это всего лишь незначительное снижение.

В Китае не было очевидных причин для продажи акций, хотя, по словам трейдеров, свою роль сыграли высокие цены, налоговые сборы и угроза того, что США или другие страны запретят использование китайского оборудования в центрах обработки данных.
По данным Goldman Sachs, акции компаний, занимающихся искусственным интеллектом, составляют 42% рыночной капитализации Китая и 57% оборота акций типа А, котирующихся на материковом рынке, и акций типа H, котирующихся на гонконгской бирже. Таким образом, на рынке, где доминируют мелкие инвесторы, мало кто избежал потерь.

Акции производителя роботов Unitree, спрос на которые со стороны розничных покупателей в 8000 раз превысил предложение, с момента начала торгов в августе подешевели вдвое, а акции производителя чипов CXMT за последний месяц потеряли более четверти своей стоимости.

Акции производителей чипов MetaX Integrated Circuits и Moore Threads Technology, которые в прошлом году после выхода на рынок выросли на 700% и 400% соответственно, с июля подешевели вдвое.

#искусственныйинтеллект

Корейские ученые создали электроды затвора транзистора из нового материала, сочетающего в себе металлы и органические молекулы

Исследование закладывает основу для разработки электродов, отвечающих требованиям различных полупроводников. Ожидается, что это также будет способствовать разработке полупроводников с низким энергопотреблением, работающих при более низком напряжении.

Проводящие металл-органические каркасы (МОК) стали перспективными электронными материалами, однако их использование в качестве функциональных компонентов в полупроводниковых устройствах по-прежнему ограничено из-за сложностей в производстве на уровне устройства

Исследователи изготовили электроды к полевым транзисторам (FET). Транзистор — это базовый полупроводниковый компонент, который включает и выключает ток или регулирует его поток в ответ на электрический сигнал. Подача напряжения на затворный электрод позволяет контролировать поток тока через транзистор. В настоящее время затворные электроды изготавливаются в основном из металлов, которые хорошо проводят электричество. Однако каждый металл обладает фиксированными электронными свойствами. Это затрудняет адаптацию электрода к требованиям конкретного полупроводника.

Проводящие металл-органические каркасы — это материалы, в которых ионы металлов и органические молекулы связаны в единую структуру. Изменение комбинации металлов и органических молекул влияет на электронные свойства материала. Одно из таких свойств — работа выхода, то есть энергия, необходимая электрону для выхода с поверхности материала. Работа выхода влияет на напряжение, при котором полупроводник включается. Таким образом, изменение состава металл-органического каркаса может помочь исследователям в разработке электродов, которые задают напряжение, при котором полупроводник включается.

Пленка Cu₃(C₆O₆)₂, использованная в этом исследовании, имеет работу выхода 4,51 эВ. Это значение находится между значениями для типичных полупроводников n-типа и p-типа, поэтому одна и та же пленка может управлять каналами обоих типов.

Чтобы использовать металл-органический каркас в качестве электрода, его необходимо превратить в тонкую пленку одинаковой толщины. Затем на ней нужно сформировать рисунок, чтобы остались только нужные участки. Материал также необходимо защитить от повреждений во время обработки, поскольку они могут снизить его электропроводность.

Сначала исследователи получили тонкую однородную пленку металл-органического каркаса путем реакции прекурсоров в газовой фазе — этот метод известен как химическое осаждение из газовой фазы (CVD). Затем они использовали свет, чтобы создать четкий рисунок, и удалили ненужные участки, чтобы сформировать электроды с помощью фотолитографии и травления.

Команда применила электроды к трем различным полупроводникам: дисульфиду молибдена n-типа (MoS₂), дителлуриду молибдена p-типа (MoTe₂) и оксидному полупроводнику — оксиду цинка индия и галлия (IGZO). Электроды включали и выключали ток во всех трех материалах.

В устройстве на основе дисульфида молибдена команда исследователей изготовили затвор из металл-органического каркаса и обычный платиновый (Pt) затвор на одном и том же канале, что позволило провести прямое сравнение. Оба затвора показали схожие пороговые напряжения — значения, при которых начинает протекать ток. Они также продемонстрировали схожую подвижность носителей заряда — показатель того, насколько легко заряды перемещаются по каналу. Эти результаты подтвердили, что электрод из нового материала может управлять током так же эффективно, как и обычный металлический электрод.

Исследователи также проверили, можно ли изготавливать электроды в промышленных масштабах. Они разместили 23 транзистора на основе IGZO на одной подложке и сформировали электроды затвора для всех транзисторов за один этап. Все 23 транзистора работали исправно.