Новости электроники

Американские спецслужбы считают, что генеральный директор Nvidia Дженсен Хуанг, возможно, стал мишенью шпионского заговора через "активы китайской разведки"

По информации The New York Times, топ-менеджер сингапурской компании, владеющей дата-центром, оказалась под пристальным вниманием из-за подозрений в том, что она могла поставлять передовые ИИ-чипы Nvidia в Китай. Теперь американские власти пришли к выводу, что она была агентом китайской разведки и передавала информацию в Пекин.

Но то, что произошло дальше, встревожило еще больше. Слежка за исполнительным директором, гражданкой Китая Элис Хуанг, или Хуанг Ле, показала, что у нее сложились близкие отношения с Дженсеном Хуангом, генеральным директором Nvidia.

В течение многих лет Вашингтон стремился лишить Китай технологий, необходимых для того, чтобы сравняться с Соединёнными Штатами или превзойти их в напряжённой глобальной борьбе за превосходство в области искусственного интеллекта. Информация о том, что Пекин получал отчеты от человека, имевшего прямой доступ к главе Nvidia , одной из самых влиятельных фигур в сфере искусственного интеллекта, а также влиятельного союзника президента Трампа, вызвала тревогу в Белом доме.

Примерно год назад г-н Трамп был проинформирован о результатах расследования, о которых ранее не сообщалось, и решил ничего не предпринимать в связи с этой информацией. Трамп опасался, что это негативно скажется на продажах чипов Nvidia, которые способствуют росту экономики и фондового рынка, а также еще больше осложнит торговые отношения с Китаем.

Nvidia заявила, что компания Megaspeed, в которой работала Хуанг Ле, ничем не отличается от других региональных клиентов, и что ранее компания уже расследовала и опровергала заявления о том, что сингапурская компания занимается контрабандой чипов в Китай. Джон Риццо, представитель Nvidia, сказал: «Взаимодействие Дженсена с госпожой Хуан не является чем-то необычным или неожиданным. Встречи с клиентами — часть работы генерального директора. Дженсен ежегодно общается с тысячами руководителей компаний-клиентов».

#новостиэлектроники

Немецкая компания NVision представила молекулярный кубит — элемент квантового компьютера, в котором носителем квантовой информации служит электронный спин отдельной органической молекулы, а не атома

Это будет подобно революции в дисплеях, когда на рынок вышли OLED, только в сфере квантовых платформ — мощно, быстро, доступно и безальтернативно.

Разработка создана в сфере квантовых систем, в составе которых отдельные кубиты обмениваются информацией посредством фотонов — квантов света. Учёным удалось продемонстрировать индивидуальное управление спином одной молекулы и его оптическое считывание. Иными словами, доказана работа системы на уровне концепции, но при этом цели разработчиков крайне амбициозны — они обещают появление технологии в составе ЦОД не позднее 2030 года.

В основе разработки лежит карбен — органическое соединение, атом углерода в котором имеет два неспаренных электрона. Для стабилизации молекулы её поместили в кристаллическую матрицу из родственного по структуре органического соединения. При температуре 4,5 К (около −268,7 °C) исследователи возбуждали молекулу лазером и регистрировали испускаемые фотоны. Ширина отдельной оптической линии составила 38 МГц, а её центральная частота оставалась стабильной на протяжении более часа с разбросом примерно 2,4–2,6 МГц. Управление электронным спином осуществлялось микроволновыми импульсами, а время когерентности достигало 2,2 мс.\

Представленная технология обещает множество выгод по сравнению с традиционными кубитами всех мастей от криогенных до холодных атомов: молекулярные кубиты позволят создавать разрозненные массивы кубитов, которым не будет мешать интерфейс и соседние кубиты, настройка квантовых состояний возможна во множестве для каждой молекулы, органические плёнки с кубитами обещают простоту нанесения на фотонные схемы, а также готовность современных заводов работать со всем этим.

Подробнее: https://3dnews.ru/1150606/nemtsi-sozdali-kubiti-iz-organicheskih-molekul-eto-put-k-moshchnim-i-dostupnim-kvantovim-kompyuteram

#новостиэлектроники

Ультратонкие пленки из мультиферроиков могут стать основой энергоэффективных чипов для искусственного интеллекта

Мультиферроики — перспективный класс материалов для создания компьютерных чипов и других электронных компонентов, которые могут работать с гораздо меньшим энергопотреблением, чем современные устройства. Эти материалы обладают сочетанием электрических и магнитных свойств, которыми можно управлять с помощью относительно небольшого электрического напряжения.

Инженеры надеются, что мультиферроики помогут снизить энергозатраты, связанные с развитием искусственного интеллекта, но существует проблема, известная как эффект «мёртвого слоя»: когда эти материалы становятся достаточно тонкими, чтобы их можно было использовать в компьютерных чипах, они теряют электрические и магнитные свойства, которые делают их такими интересными.

Группа исследователей из Университета Брауна разработала метод создания тонких пленок мультиферроидного феррита висмута, которые сохраняют свои ключевые свойства и приобретают новые, что делает их еще более полезными.

Интерес к мультиферроидным материалам обусловлен их взаимосвязанными электрическими и магнитными свойствами. Каждая элементарная ячейка атомной решетки материала электрически поляризована, то есть положительные и отрицательные заряды располагаются на противоположных сторонах ячейки. Эту электрическую поляризацию можно изменить, то есть поменять местами положительные и отрицательные заряды, подав на ячейку небольшое напряжение. Это означает, что можно кодировать двоичные данные (единицы и нули), манипулируя состояниями поляризации, что можно делать с помощью импульсов напряжения малой мощности.

А поскольку магнитные состояния материала связаны с электрическими состояниями, данные можно считывать с помощью магнита, создавая сверхмаломощное запоминающее или логическое устройство.

Однако исторически сложилось так, что проблема «мертвого слоя» была непреодолимым препятствием. Чтобы мультиферроидный материал можно было интегрировать в компьютерный чип, его нужно сделать очень тонким. Но при малой толщине возникают две проблемы: атомная решетка материала теряет физическую форму и химические свойства, необходимые для функционирования, а внутренние электрические поля подавляют электрическую поляризацию. В совокупности эти два нарушения приводят к тому, что материал полностью теряет свои сегнетоэлектрические и магнитные свойства, образуя так называемый мертвый слой.

Решение, предложенное исследователями из Брауна, — это новый способ изготовления феррита висмута, широко изучаемого мультиферроика. Исследователи вырастили пленку феррита висмута на подложке из скандата диспрозия — материала на основе редкоземельных элементов с кристаллической структурой, которая уже, чем у феррита висмута. Такое несоответствие решеток создает деформацию сжатия в феррите висмута, что помогает сохранить его функциональную структуру атомной решетки.

В то же время второй металлический слой помогает поглощать блуждающие электрические поля, что поддерживает электрическую поляризацию в слое феррита висмута. В результате получается пленка из феррита висмута, которая не только сохраняет свои функциональные мультиферроидные свойства, но и обладает улучшенными магнитными свойствами.

Исследователи показали, что многослойная структура превращает слой феррита висмута в альтермагнет — своего рода гибрид ферромагнетика и антиферромагнетика.

Исследователи считают, что полученные результаты станут шагом к использованию мультиферроиков в качестве компонентов для маломощных вычислительных систем.

#новостиэлектроники

Уважаемые коллеги!

Приглашаем Вас разместить информацию по продуктам и компетенциям компании и технические материалы в журнале «СВЧ электроника» №04/2026.

Журнал выйдет в ноябре и будет распространяться на выставке «Электроника России-2026”, а также по подписке в печатной и электронной форме.

Журнал «СВЧ электроника» посвящен компонентам, модулям и материалам СВЧ, проектированию и разработке радиотехнических систем, измерительным приборам и проблемам электромагнитной совместимости.

Журнал прежде всего ориентирован на инженеров-разработчиков в области СВЧ, работающих в различных сферах науки и производства, таких как телекоммуникация и связь, радиолокация и навигация, авионика, системы РЭБ, космическая отрасль, специальные применения.

В №4'2026 будут опубликованы статьи:

Антенные структуры на основе метаматериалов в пленочном и многослойном исполнении. Часть 2;

Радар нового поколения: фазированная антенная решетка и цифровое формирование луча. Часть 2;

Эффективность экранирования микроволновых кабельных сборок SMPM;

Влияние пайки оплавлением на широкополосные ВЧ-разъёмы;

Тепловое воздействие пайки оплавлением на конструкцию ВЧ-разъёма для печатной платы;

Проектирование и анализ характеристик антенны с перенастраиваемой частотой;

И другие материалы.

Подробная информация: https://disk.yandex.ru/i/nsxpI4__g7jzMg

Разработка и внедрение АПАК для поиска дефектов изделий микроэлектроники с помощью искусственного интеллекта

Часть 18. Организационная система автоматизированной инспекции качества покрытий изделий электронной техники золотом и никелем методом рентгенофлуоресцентного анализа

Статья Евстифеева Юрия, Дормидошиной Дарьи, Рубцова Юрия, Ключникова Евгения, АО «ЦКБ «Дейтон», Ключникова Валерия, АО «Завод «Марс» в журнале "Электронные компоненты" №8/2026

В этой части статьи представлены результаты создания и внедрения организационной системы автоматизированной инспекции качества покрытий ИЭТ золотом и никелем методом рентгенофлуоресцентного анализа.

Статья по ссылке: https://russianelectronics.ru/razrabotka-i-vnedrenie-apak-dlya-poiska-defektov-izdelij-mikroelektroniki-s-pomoshhyu-iskusstvennogo-intellekta-chast-18/

Оформить подписку на журнал Электронные компоненты

Размещение материалов в журнале

#новостиэлектроники

Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND

Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память.

Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с памятью типа SRAM, увеличивающий доступный объём кеша третьего уровня.

В своём первом воплощении Z2RAM обещает плотность в пересчёте на бит более 5 раз выше, чем в случае с SRAM. Если кристалл SRAM может разместить только 64 Мбайт памяти, то Z2RAM в том же пространстве предлагает уже 320 Мбайт при сохранении пропускной способности на сопоставимом с SRAM уровне. Подобные объёмы вряд ли впечатляют на фоне флагманских ускорителей с памятью HBM, но для ускорителей на основе SRAM типа Nvidia Groq это будет существенным прогрессом. В частности, чипы Groq 3 типа LPU предлагают около 500 Мбайт памяти типа SRAM, и теоретически, при переходе на Z2RAM этот объём может быть увеличен в пять раз и более.

Подробнее: https://3dnews.ru/1150546/pamyat-budushchego-z2ram-obedinit-luchshee-ot-dram-sram-i-nand-v-razrabotku-vlogilsya-bivshiy-glava-intel

На Международной конференции по органоидному интеллекту в США австралийская компания Cortical Labs представила систему Hive («Улей»), которая объединяет 15 передовых биологических компьютеров CL1

В соответствии с поговоркой «одна голова — хорошо, а две — лучше», создатели этого биокомпьютера установили, что если объединить 15 искусственных мозгов, то входящие в их состав человеческие нейроны станут работать эффективнее.

Идея исследователей из Cortical Labs заключалась в том, что вместо использования одной установки, работающей на базе группы клеток головного мозга, задействовать командную работу, чтобы вывести решение задач и процесс обучения на качественно новый уровень. Разумеется, увеличение количества голов не всегда гарантирует успех, однако в случае с Hive отдельные модули CL1, по-видимому, распределили между собой различные аспекты поставленной задачи, найдя наиболее эффективный путь к достижению цели. Причем выращенные в лаборатории нейроны пришли к такому решению самостоятельно, когда стали частью более крупной сети, — никакого обучения они не проходили.

Подробнее: https://hightech.plus/2026/10/27/cortical-labs-obedinila-biokompyuteri-v-kollektivnii-razum

#новостиэлектроники

Микроскопические пружины превратили хрупкий кремний в гибкий метаматериал

Исследователи из Осакского научно-исследовательского института промышленных наук и технологий (ORIST) в сотрудничестве с Университетом Осаки и Университетом Тохоку разработали гибкий и растягивающийся кремниевый материал, чувствительность которого к терагерцовым волнам можно регулировать механически. Вытравив в кремнии микроскопические спиральные пружины, ученые сделали хрупкий материал гибким и растягивающимся.

Терагерцовые волны, частота которых находится в диапазоне между микроволнами и светом, могут использоваться для контроля материалов и в будущих системах беспроводной связи. Кремний используется для изготовления оптических компонентов с малыми потерями в терагерцовом диапазоне. Однако эти компоненты жесткие и могут легко сломаться при механическом воздействии.

Используя технологии изготовления микроэлектромеханических систем (МЭМС), исследователи вытравили на кремниевой пластине толщиной 200 мкм спиралевидные зазоры, сформировав пружинные элементы шириной около 10 мкм. Полученная кремниевая структура является самонесущей и не требует полимерной или металлической подложки. Ее эффективный показатель преломления, который определяется относительным соотношением и расположением кремния и воздуха, можно изменить путем деформации.

Терагерцовая спектроскопия во временной области показала, что удлинение структуры на 12,6 % снижает эффективный показатель преломления примерно на 6 % для поляризации, перпендикулярной направлению растяжения. Для поляризации, параллельной этому направлению, снижение составило 8 %. Эти различия в отклике показывают, что деформация может влиять на двойное лучепреломление материала, определяемое как разница в эффективном показателе преломления для двух поляризаций.

«Механическая деформация открывает новые возможности для терагерцовой кремниевой фотоники», — считают исследователи. «Дальнейшие исследования приведут к разработке настраиваемых терагерцовых интегральных схем с использованием технологии микроэлектромеханических систем».

#новостиэлектроники

Доменная печь: Минцифры может ввести лимит на потребление зарубежного трафика

Минцифры готовит очередные меры в рамках готовящейся реформы отрасли связи. Среди них — предложение пропускать весь трафик с зарубежных доменов через технические средства противодействия угрозам (ТСПУ) и ограничивать его объем для российских пользователей. Эксперты указывают на серьезные технологические сложности: отделить зарубежный трафик от российского крайне трудно. Особую озабоченность у участников рынка вызывают риски снижения связности Сети и ухудшения качества услуг связи

Подробнее: https://www.forbes.ru/tekhnologii/571083-domennaa-pec-mincifry-mozet-vvesti-limit-na-potreblenie-zarubeznogo-trafika

Разработан первый в мире вертикальный MOSFET -транзистор на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А и напряжением пробоя более 900 В

Оксид галлия, типичный полупроводниковый материал четвертого поколения, привлекает внимание разработчиков высоковольтных и высокоэффективных силовых устройств благодаря своей сверхширокой запрещенной зоне, высокому напряжению пробоя и низким потерям проводимости. Однако проблемы с легированием p-типа долгое время препятствовали его использованию в мощных устройствах и коммерциализации. Вертикальные MOSFET -транзисторы на основе оксида галлия, как правило, имеют ограничения по допустимому току, напряжению пробоя и току утечки.

По информации TrendForce, компания Jiachi Power Technology из Шанхая недавно добилась значительного успеха в этой области.

Компания, расположенная в кластере полупроводниковой промышленности четвертого поколения в Шанхае, завершила первый этап производства и проверки пластин для своих вертикальных MOSFET-транзисторов на основе оксида галлия.

Благодаря инновациям в структуре устройств и разработке собственных технологических процессов команда создала, по ее словам, первый в мире вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А и напряжением пробоя более 900 В, установив новые рекорды по нескольким ключевым показателям производительности на основе общедоступных данных.

Стабильное и контролируемое легирование p-типа долгое время было серьезной проблемой для полевых MOSFET-транзисторов на основе оксида галлия, предназначенных для применения в устройствах высокой мощности. В результате в ранее опубликованной научной литературе и отраслевых отчетах не упоминались вертикальные MOSFET-транзисторы на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А, что сдерживало их коммерциализацию.

Чтобы решить эту проблему, компания Jiachi добилась прогресса как в архитектуре устройств, так и в производственных процессах. Команда разработала собственные ячейки и структуры для полевых MOSFET-транзисторов, позволяющие точно контролировать внутреннюю геометрию устройства и распределение электрического поля для повышения стабильности и устойчивости к пробою.

Кроме того, компания разработала процесс самосовмещаемой ионной имплантации для канала полевого MOSFET-транзистора, что позволило решить проблемы, связанные с точным формированием канала и равномерным распределением легирующих примесей. В рамках этой работы был разработан специальный технологический процесс для мощных устройств на основе оксида галлия, после чего был проведен полный цикл изготовления и электрических испытаний.

Измерения показали, что пороговое напряжение составляет 3,9 В, что обеспечивает стабильную работу в режиме обогащения. Ток во включенном состоянии составил 1,2 А, а удельное сопротивление во включенном состоянии — 33 мОм·см².

Согласно обзору общедоступных исследований и отраслевых результатов, проведенному компанией, это первый вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия, ток во включенном состоянии которого превышает 1 А.

Устройство, рассчитанное на рабочее напряжение 750 В, продемонстрировало пробивное напряжение более 900 В при токе утечки менее 3 мкА. Показатели утечки приближаются к показателям современных коммерческих силовых устройств на основе кремния и карбида кремния, что устраняет ключевое ограничение технологии на основе оксида галлия.

Запатентованный процесс самоустанавливающейся ионной имплантации также закладывает основу для производства MOSFET-транзисторов из оксида галлия на уровне ампера и более высокой мощности, помогая заполнить пробел в разработке мощных устройств.

#новостиэлектоники