Память будущего: Z2RAM объединит лучшее от DRAM, SRAM и NAND

Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) в прошлом году вложился в капитал стартапа Nagare Labs, который пытается разработать новый тип памяти, сочетающий лучшие характеристики DRAM, SRAM и флеш-памяти. Память типа Z2RAM обещает быть плотной как DRAM, быстрой как SRAM и масштабируемой, как флеш-память.

Технология Nagare Labs базируется на оксидных полупроводниках и подразумевает интеграцию памяти непосредственно на вычислительные компоненты с использованием технологий сращивания в трёхмерной компоновке. Концептуально Z2RAM напоминает память 3D V-Cache, которую AMD устанавливает на свои процессоры Ryzen определённых моделей. В последнем случае в упаковке логического чипа размещается дополнительный слой с памятью типа SRAM, увеличивающий доступный объём кеша третьего уровня.

В своём первом воплощении Z2RAM обещает плотность в пересчёте на бит более 5 раз выше, чем в случае с SRAM. Если кристалл SRAM может разместить только 64 Мбайт памяти, то Z2RAM в том же пространстве предлагает уже 320 Мбайт при сохранении пропускной способности на сопоставимом с SRAM уровне. Подобные объёмы вряд ли впечатляют на фоне флагманских ускорителей с памятью HBM, но для ускорителей на основе SRAM типа Nvidia Groq это будет существенным прогрессом. В частности, чипы Groq 3 типа LPU предлагают около 500 Мбайт памяти типа SRAM, и теоретически, при переходе на Z2RAM этот объём может быть увеличен в пять раз и более.

Подробнее: https://3dnews.ru/1150546/pamyat-budushchego-z2ram-obedinit-luchshee-ot-dram-sram-i-nand-v-razrabotku-vlogilsya-bivshiy-glava-intel