Новости электроники

Эволюция и современные тенденции в технологии намотки электротехнических изделий

Статья Алексея Фомина, специалиста ООО НПП «Универсал Прибор», в журнале «Электронные компоненты» №8/2026

В статье рассматривается исторический путь развития технологий намотки, начиная с ручных операций и заканчивая высокоточным автоматизированным производством. Анализируются ключевые инженерные задачи, связанные с укладкой обмоточного провода сердечники разных типов, включая тороидальные. Особое внимание уделяется современным вызовам прецизионной намотки (плотность, дефектообразование, работа со сверхпроводниками) и перспективным направлениям, обусловленным развитием электромобилестроения и появлением новых таких проводниковых материалов, как углеродные нанотрубки. Показано, что внешне рутинная операция намотки требует глубоких знаний в области материаловедения и теории автоматического управления.

Статья по ссылке: https://russianelectronics.ru/evolyucziya-i-sovremennye-tendenczii-v-tehnologii-namotki-elektrotehnicheskih-izdelij/

Оформить подписку на журнал Электронные компоненты

Размещение материалов в журнале

Китай инвестирует 583 миллиарда долларов в науку и технологии

Последние данные Национального бюро статистики Китая подчеркивают растущий контраст с ситуацией в США, где администрация Трампа предложила резко сократить федеральные бюджеты на исследования, в том числе на 39% для Национального института здравоохранения и на 55% для Национального научного фонда в рамках бюджета на 2026 год. По абсолютным показателям расходы Китая уступают только американским, но постоянные инвестиции в научные исследования и промышленное развитие укрепляют его позиции в конкурентной борьбе за полупроводники, искусственный интеллект и другие передовые технологии.

Общие расходы Китая на НИОКР, по информации South China Morning Post. превысили 583 миллиарда долларов в 2025 году, и, по данным государственного информационного агентства Синьхуа, расходы росли в среднем на 10% в год в течение пяти лет до 2025 года, что делает Китай одним из самых быстрорастущих крупных инвесторов в исследования,

Наибольший процентный рост среди трех основных категорий продемонстрировали фундаментальные исследования: их объем увеличился на 13,3% по сравнению с прошлым годом и составил примерно 40 миллиардов долларов. Несмотря на этот рост, на фундаментальные исследования по-прежнему приходилось чуть более 7% от общего объема расходов на НИОКР. Расходы на исследования в высших учебных заведениях выросли на 11% и составили примерно 48 миллиардов долларов.

Согласно опубликованным данным, общие расходы Китая на исследования в 3,4 раза превышают расходы Германии и в 3,5 раза Японии. Интенсивность научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ, измеряемая как отношение расходов к валовому внутреннему продукту, в 2025 году достигла 2,8 %, впервые превысив средний показатель по ОЭСР и обеспечив стране 12-е место в мире.

Основным источником инвестиций в исследования оставались предприятия: их расходы впервые превысили 420 миллиардов долларов, что составляет более 77 % от общего объема инвестиций в стране. Инвестиции были сосредоточены в крупных промышленных и технологических центрах, включая провинции Гуандун, Цзянсу, Чжэцзян и Шаньдун, а также Пекин и Шанхай.

Министр науки и технологий Китая Инь Хэцзюнь назвал усиление фундаментальных исследований необходимым условием для крупных технологических прорывов. Пекин стремится устранить узкие места в таких отраслях, как производство полупроводников, промышленного оборудования и высокотехнологичных научных приборов.

#новостиэлектроники

Тайвань сажает на пять лет за незаконный экспорт серверов искусственного интеллекта в Китай

Тайвань расширяет список контролируемого экспорта, включив в него серверы с искусственным интеллектом и новейшие чипы, чтобы привести свою политику в соответствие с торговыми запретами США.

Tom’s Hardware сообщает, что после вступления в силу мер экспортного контроля любой, кто будет уличен в контрабанде этих товаров, будет привлечен к уголовной ответственности в соответствии с Законом о внешней торговле, который предусматривает наказание в виде лишения свободы на срок до пяти лет и/или штрафа в размере около 92 500 долларов.

«В будущем некоторые из наших мер в отношении контролируемых товаров будут соответствовать американским, поскольку мы взяли на себя ряд обязательств в рамках Соглашения о взаимной торговле», — заявил министр экономики Тайваня Кун Мин-синь. Обе стороны подписали торговое соглашение в начале этого года, согласно которому США снизили тарифы на тайваньские товары до 15% в обмен на прямые инвестиции в американскую технологическую отрасль.

Расширение Закона о внешней торговле станет одной из самых строгих мер, принятых правительством Тайваня в отношении экспорта в Китай, о чем оно задумалось еще в начале этого года. Этот шаг, скорее всего, порадует Вашингтон, который оказывает давление на другие страны, чтобы те активнее контролировали поставки передовых чипов для искусственного интеллекта в Китай. Однако это также может спровоцировать Пекин, который уже осудил Тайбэй после того, как в прошлом году тот ввел ограничения на экспорт для Huawei и SMIC.

#новостиэлектроники

Почему из-за габаритной яркости лучше отказаться от большинства современных светильников

Доклад Дмитрия Сукачева, преподавателя Высшей школы средового дизайна МАРХИ, независимого светодизайнера, на Всероссийской светотехнической конференции - 2026

https://vk.ru/video-177228143_456239451

Найден способ значительного повышения эффективности гибридных светодиодов

Большинство предыдущих разработок в области перовскитных светодиодов обеспечивали квантовую эффективность — способность преобразовывать электричество в свет — в диапазоне от 20% до 30%. Новая технология повысит ее до 40%.

Химики разработали способ значительного повышения эффективности светодиодов (LED), изготовленных с использованием перовскита. Журнал Nature опубликовал статью о прогрессе в области гибридных светодиодов, которые могут найти применение в самых разных областях.

Начиная с 2010-х годов светодиоды, изготовленные из неорганических полупроводников, таких как нитрид галлия, начали массово вытеснять лампы накаливания в быту. Лампы накаливания работают за счет нагрева металлической нити, из-за чего они расходуют 90 % энергии. Светодиоды преобразуют энергию непосредственно в свет, пропуская электрический ток через полупроводниковый материал для возбуждения электронов. В результате неорганический светодиод потребляет всего 8-10 Вт, чтобы излучать столько же света, сколько 60-ваттная лампа накаливания.

Несмотря на то, что неорганические светодиоды эффективны, стабильны и долговечны, их сложно использовать в дисплеях большой площади или в очень маленьких пикселях. Кроме того, они жесткие, что затрудняет их использование в гибких устройствах и некоторых других областях.

Светодиоды, изготовленные из органических молекул, тоньше, гибче, их проще проектировать, и они дают более яркие цвета на дисплеях. Однако в настоящее время их производство обходится дороже, а сами они менее эффективны и долговечны, чем неорганические светодиоды.

Чтобы создать перовскитный светодиод, соли галогенидов металлов вместе с различными добавками нагревают, чтобы они растворились в растворителе.

Раствор наносится ультратонкими слоями методом центрифугирования на подложку внутри азотной перчаточной камеры — герметичного бокса с прозрачными стенками, заполненного очищенным азотом. Камера защищает материал от воздействия кислорода и влаги. Исследователь надевает перчатки, прикрепленные к камере, чтобы работать с материалом.

Затем ультратонкую пленку нагревают, чтобы выпарить растворитель и дать химическим веществам возможность сформировать кристаллическую структуру перовскита.

В процессе производства перовскитных светодиодов для экспериментов и тестирования исследователи из Университета Эмори и Университета Пердью заметили кое-что странное. В базовую формулу перовскитного светодиода входит добавка, открытая в 2018 году, которая позволяет получить светодиод с базовой эффективностью 20–25%. Но в партии, изготовленной в лаборатории Доу, эффективность почему-то составила около 30%.

Чем объяснялась эта разница?

Продолжение: https://russianelectronics.ru/najden-sposob-znachitelnogo-povysheniya-effektivnosti-gibridnyh-svetodiodov/

Китай представил прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) для производства чипов

Массовое производство начнется через 3–5 лет

По информации TrendForce, компания Langdao Silex представила свой первый прототип источника EUV на 26-й Китайской международной промышленной выставке. По словам сотрудников, система на 90% состоит из отечественных компонентов, а большинство основных компонентов разработано внутри компании. Она использует технический подход, аналогичный тому, что применяют ведущие международные поставщики, и может использоваться для тестирования воздействия на микросхемы.

По информации с официального сайта Langdao Silex, согласно которым маломощный источник EUV-излучения FlintNano LPP-OXXO, основанный на технологии лазерной плазмы (LPP), оснащен управляющим лазером мощностью 1000 Вт, частотой повторения импульсов 1–20 кГц, эффективностью преобразования более 2 %, яркостью 100 Вт/мм²ср и мощностью EUV-излучения более 15 Вт. Система поддерживает более 100 часов непрерывной работы, имеет размер плазмы 60 мкм, среднеквадратичное отклонение стабильности плазмы 3 % и стабильность энергопотребления 5 %.

Серия мощных источников света EUV FlintMicro-LPP прошла проверку на соответствие заявленным характеристикам, а серия маломощных источников FlintNano-LPP вышла на стадию производства.

Однако технический персонал Langdao Silex заявил, что до крупномасштабного коммерческого производства прототипа еще три-пять лет, и он требует дальнейшей инженерной разработки и оптимизации. Основные проблемы заключаются в увеличении выходной мощности и повышении долгосрочной стабильности работы.

Между технологией Langdao Silex и коммерческими требованиями к EUV-литографии сохраняется значительный разрыв. Как отмечает ICsmart, коммерческим системам литографии обычно требуются источники света для EUV-литографии мощностью в несколько сотен ватт, обеспечивающие стабильную работу. Компания ASML использует источники света EUV мощностью 250 Вт в серийном производстве с 2018 года и планирует увеличить мощность до 1000 Вт.

Прототип, представленный компанией Langdao Silex на отраслевой выставке, демонстрирует осуществимость технического подхода, но для его внедрения в промышленное производство необходимо решить ряд серьезных проблем. По данным ICsmart, переход от мощности EUV-литографии около 15 Вт к мощности в несколько сотен ватт, необходимой для коммерческого производства, потребует не только значительного увеличения мощности, но и существенного повышения стабильности плазмы, увеличения срока службы источника света и надежности системной интеграции.

#новостиэлектроники

Разработан материал для пассивного охлаждения электронных устройств, который использует влагу из воздуха — без воды и электричества

Эта технология может стать экологичным решением проблем с отводом тепла в центрах обработки данных с искусственным интеллектом, мобильных устройствах и аккумуляторах электромобилей (EV), охлаждение которых требует большого количества воды и электроэнергии.

Последние достижения в области искусственного интеллекта привели к резкому росту числа центров обработки данных, и обеспечение их электроэнергией и водой, необходимыми для отвода тепла, стало глобальной проблемой. Аналогичным образом, для мобильных устройств и аккумуляторов электромобилей требуются технологии, способные эффективно отводить тепло в ограниченном пространстве.

Однако традиционные методы активного охлаждения с использованием насосов или вентиляторов требуют электроэнергии и охлаждающей жидкости (воды), а их сложные системы влекут за собой значительные расходы на обслуживание.

Соответственно, в качестве альтернативы появились технологии пассивного охлаждения, не требующие внешнего источника энергии, в частности технологии испарительного охлаждения, использующие влагу в воздухе. Однако большинство традиционных гигроскопичных материалов — то есть материалов, поглощающих влагу, — представляют собой твердые кристаллические вещества, которые плохо сцепляются с поверхностями электронных устройств и вызывают коррозию. Это существенные препятствия для их коммерциализации.

Исследователи из Тэгуского института науки и технологий решили эту проблему, объединив «наноцеллюлозу», которая отлично удерживает влагу, с органическими ионными молекулами, обладающими высокой гигроскопичностью, для синтеза гибкого клейкого пленочного материала.

Материал сохраняет высокую адгезию и гибкость даже в полностью сухом состоянии, обеспечивая прочное прилегание без зазоров к различным поверхностям электронных устройств, включая металлы, полупроводники и стекло. Даже в сухой среде он поглощает и удерживает значительное количество влаги из воздуха, которая испаряется при нагревании устройства во время работы, тем самым снижая температуру поверхности в режиме реального времени.

Ключевым преимуществом материала является то, что он не вызывает коррозию, несмотря на содержание влаги, что позволяет наносить его непосредственно на поверхности устройств без дополнительного покрытия.

Когда исследовательская группа протестировала пленку в реальных условиях непрерывной работы электронного устройства, пленка стабильно снижала температуру поверхности устройства на 18,2 °C (с 72,3 °C (162,1 °F) до 54,1 °C (129,4 °F)) в течение более чем 12 часов.

#новостиэлектроники

Ученые нижегородского Университета Лобачевского запатентовали способ глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния для микроэлектроники, а также разработали подход к комплексному управлению свойствами этих наночастиц

Изобретение относится к области очистки аморфного диоксида кремния и предназначено для использования в химико-механической полировке полупроводниковых пластин, а также в процессах, требующих высокочистых абразивных наноматериалов.

Учеными ННГУ им. Н. И. Лобачевского разработаны технологическая линия и регламент получения продукта, благодаря чему создана устойчивая суспензия, которая направлена на апробацию индустриальному партнеру. В условиях ограничений поставок сформировалась критическая потребность в разработке отечественных аналогов, сопоставимых по характеристикам с зарубежными продуктами.

Подробнее: https://tass.ru/nauka/28221171

Разработка и исследование широкополосного усилителя мощности в диапазоне частот 2-32 ГГц на гетероструктурах нитрида галлия

Статья Е.М. Хеглунд, И.Л. Хеглунд, Б.В. Калинина ,ООО «Микровейв АйСи», в журнале "СВЧ электроника" №2/2026

С развитием современной радиоэлектроники всё больше требований предъявляется к габаритам, диапазону частот и выходной мощности передающих трактов СВЧ модулей. Усилитель с распределенным усилением – специализированный тип СВЧ усилителя позволяет усиливать сигналы в сверхшироком диапазоне частот, работающий по принципу распределённого сложения высокочастотных сигналов, в отличие от классических усилителей с синфазным сложением сигналов.

Гетероструктуры AlGaN/GaN широко используются при создании усилителей мощности СВЧ диапазона. Высокая критическая напряженность электрического поля позволяет увеличить рабочее напряжение стока и пробивное напряжение. А в сочетании с высокой удельной плотностью тока это обеспечивает выходную мощность усилителей на основе таких гетероструктур.

В данной статье представлены результаты разработки и исследования образцов однокаскадного неоднородного усилителя с распределённым усилением (УРУ), работающего в диапазоне 2–32 ГГц. Усилитель был изготовлен на гетероструктурах AlGaN/GaN на подложке SiC по технологии 150 нм.

Статья по ссылке: https://elcomdesign.ru/uncategorized/razrabotka-i-issledovanie-shirokopolosnogo-usilitelya-moshhnosti-v-diapazone-chastot-2-32-ggcz-na-geterostrukturah-nitrida-galliya/

Оформить подписку на журнал

Размещение материалов в журнале

C 2027 г. Минпромторг вводит обязательную квоту на использование российского микроэлектронного оборудования при строительстве и модернизации производств

Минимальная доля отечественного оборудования при использовании бюджетных средств составит 30% в 2027 г., 40% — в 2028 г. и 50% — в 2030 г.

Сейчас российским признается оборудование по коду 28.99.2 ОКПД 2 и ОКВЭД 2 — это специальное оборудование и аппаратура для микроэлектроники: производства полупроводниковых слитков, пластин, интегральных схем, плоскопанельных дисплеев и печатных плат.

Код охватывает станки и установки для выращивания слитков, обработки кремниевых пластин, выпуска полупроводниковых приборов и ЖК/OLED-экранов. С 2027 г. список пополнится установками «кристального» цикла, вакуумными камерами, механизмами загрузки и выгрузки пластин и пр.

Объем выпуска оборудования для российской электронной промышленности в текущем году может увеличиться почти на 5%, до 5,58 млрд руб., сообщал представитель Минпромторга на конференции «Электронное машиностроение» в Минске. В 2025 г. показатель составлял 5,32 млрд руб., в 2024 г. — 4,93 млрд руб., в 2023 г. — 2,93 млрд руб.

Подробнее: https://itsupport.cnews.ru/news/top/2026-10-15_vlasti_vvodyat_obyazatelnuyu

#новостиэлектроники