Новости электроники

Разработан первый в мире вертикальный MOSFET -транзистор на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А и напряжением пробоя более 900 В

Оксид галлия, типичный полупроводниковый материал четвертого поколения, привлекает внимание разработчиков высоковольтных и высокоэффективных силовых устройств благодаря своей сверхширокой запрещенной зоне, высокому напряжению пробоя и низким потерям проводимости. Однако проблемы с легированием p-типа долгое время препятствовали его использованию в мощных устройствах и коммерциализации. Вертикальные MOSFET -транзисторы на основе оксида галлия, как правило, имеют ограничения по допустимому току, напряжению пробоя и току утечки.

По информации TrendForce, компания Jiachi Power Technology из Шанхая недавно добилась значительного успеха в этой области.

Компания, расположенная в кластере полупроводниковой промышленности четвертого поколения в Шанхае, завершила первый этап производства и проверки пластин для своих вертикальных MOSFET-транзисторов на основе оксида галлия.

Благодаря инновациям в структуре устройств и разработке собственных технологических процессов команда создала, по ее словам, первый в мире вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А и напряжением пробоя более 900 В, установив новые рекорды по нескольким ключевым показателям производительности на основе общедоступных данных.

Стабильное и контролируемое легирование p-типа долгое время было серьезной проблемой для полевых MOSFET-транзисторов на основе оксида галлия, предназначенных для применения в устройствах высокой мощности. В результате в ранее опубликованной научной литературе и отраслевых отчетах не упоминались вертикальные MOSFET-транзисторы на основе оксида галлия с током в открытом состоянии более 1 А, что сдерживало их коммерциализацию.

Чтобы решить эту проблему, компания Jiachi добилась прогресса как в архитектуре устройств, так и в производственных процессах. Команда разработала собственные ячейки и структуры для полевых MOSFET-транзисторов, позволяющие точно контролировать внутреннюю геометрию устройства и распределение электрического поля для повышения стабильности и устойчивости к пробою.

Кроме того, компания разработала процесс самосовмещаемой ионной имплантации для канала полевого MOSFET-транзистора, что позволило решить проблемы, связанные с точным формированием канала и равномерным распределением легирующих примесей. В рамках этой работы был разработан специальный технологический процесс для мощных устройств на основе оксида галлия, после чего был проведен полный цикл изготовления и электрических испытаний.

Измерения показали, что пороговое напряжение составляет 3,9 В, что обеспечивает стабильную работу в режиме обогащения. Ток во включенном состоянии составил 1,2 А, а удельное сопротивление во включенном состоянии — 33 мОм·см².

Согласно обзору общедоступных исследований и отраслевых результатов, проведенному компанией, это первый вертикальный MOSFET-транзистор на основе оксида галлия, ток во включенном состоянии которого превышает 1 А.

Устройство, рассчитанное на рабочее напряжение 750 В, продемонстрировало пробивное напряжение более 900 В при токе утечки менее 3 мкА. Показатели утечки приближаются к показателям современных коммерческих силовых устройств на основе кремния и карбида кремния, что устраняет ключевое ограничение технологии на основе оксида галлия.

Запатентованный процесс самоустанавливающейся ионной имплантации также закладывает основу для производства MOSFET-транзисторов из оксида галлия на уровне ампера и более высокой мощности, помогая заполнить пробел в разработке мощных устройств.

#новостиэлектоники

Найдены перспективные материалы для перестраиваемых фотонных чипов

Перспективные материалы для перестраиваемых фотонных чипов, переключаемых лазером, отобрала команда российских ученых в результате испытаний. В будущем технология может лечь в основу более совершенных систем для хранения, обработки и передачи информации с помощью света, включая энергонезависимую оптическую память, фотонные вычислители и оптические нейроморфные сети.

Особенность фазопеременных материалов — в том, что их структура может быть как кристаллической (упорядоченной), так и аморфной (неупорядоченной). Менять ее можно с помощью коротких лазерных импульсов, при этом после облучения образец сохранит приданное ему состояние. Это свойство позволяет кодировать информацию прямо в структуре материала.

В работе, представленной в престижном научном издании Materials Science in Semiconductor Processing, ученые испытали пять фазопеременных материалов на основе разных полупроводниковых соединений из германия (Ge) — сурьмы (Sb) — теллура (Te). Они наносились на волноводы — элементы фотонного чипа, по которым перемещается свет. Использование одинаковых волноводов из нитрида кремния позволило сопоставить возможности разных фазопеременных материалов, не меняя конструкцию самой интегральной схемы. По результатам испытаний исследователи отобрали перспективные составы, лучше и быстрее других меняющие прохождение света по волноводу.

Исследование подтвердило: эффективность управления светом на фотонном чипе напрямую зависит от состава соединения. Для точного подбора фазопеременного материала нужно учитывать целый комплекс параметров: скорость переключения, величину изменения сигнала, а также размеры ячейки на волноводе. Ученые подчеркивают, что при изменении деталей процесса — например, использовании волновода из другого материала или подаче лазерных импульсов с другой длиной волны — результат может измениться. Поэтому технологию нужно адаптировать к конкретным условиям.

Подробнее: https://scientificrussia.ru/articles/zapecatlet-informaciu-svetom-najdeny-perspektivnye-materialy-dla-perestraivaemyh-fotonnyh-cipov

#новостиэлектроники

AggreGate - как зонтик над сенсорными сетями для сбора и обработки данных

Доклад Романа Шиндина, руководителя отдела технического pre-sale AggreGate, на конференции IIoT -2026


https://vk.ru/video-177228143_456239498

В Китае пузырь искусственного интеллекта уже лопнул

Как сообщает Reuters, в то время как мировые акции технологических компаний колеблются, в Китае они уже рухнули из-за резкого снижения стоимости на фоне опасений по поводу спроса на искусственный интеллект и ограничений на китайский экспорт.

Обвал, в результате которого материковый индекс STAR50 компаний, занимающихся искусственным интеллектом и полупроводниками, упал на 40% менее чем за четыре месяца, а их рыночная стоимость сократилась на 480 миллиардов долларов, является дурным предзнаменованием для нестабильных мировых рынков и сдерживающим фактором для усилий Китая по привлечению сбережений в акции для финансирования бума в сфере искусственного интеллекта.

Это также привело к замедлению ралли, продолжавшегося два года, поскольку обещания экономического стимулирования привели к резкому росту акций, и остановило стремление Пекина разорвать порочный круг подъемов и спадов и создать «медленный бычий» рынок, демонстрирующий стабильную динамику. Китайский индекс «голубых фишек» (.CSI300), упал примерно на 20% по сравнению с июньскими максимумами.

«Позже фондовый рынок превратился в безумный спекулятивный бычий рынок», — сказал управляющий фондом из Пекина Дун Баочжэнь. «И вот мы видим, как пузырь лопается».

Разворот отражает рост, который достиг более высоких показателей, чем рынки на Западе или в других странах Азии, и по сравнению с акциями американских компаний, работающих в сфере искусственного интеллекта, которые привели к падению индекса Nasdaq на 6% с рекордного уровня, достигнутого три недели назад, это всего лишь незначительное снижение.

В Китае не было очевидных причин для продажи акций, хотя, по словам трейдеров, свою роль сыграли высокие цены, налоговые сборы и угроза того, что США или другие страны запретят использование китайского оборудования в центрах обработки данных.
По данным Goldman Sachs, акции компаний, занимающихся искусственным интеллектом, составляют 42% рыночной капитализации Китая и 57% оборота акций типа А, котирующихся на материковом рынке, и акций типа H, котирующихся на гонконгской бирже. Таким образом, на рынке, где доминируют мелкие инвесторы, мало кто избежал потерь.

Акции производителя роботов Unitree, спрос на которые со стороны розничных покупателей в 8000 раз превысил предложение, с момента начала торгов в августе подешевели вдвое, а акции производителя чипов CXMT за последний месяц потеряли более четверти своей стоимости.

Акции производителей чипов MetaX Integrated Circuits и Moore Threads Technology, которые в прошлом году после выхода на рынок выросли на 700% и 400% соответственно, с июля подешевели вдвое.

#искусственныйинтеллект

Корейские ученые создали электроды затвора транзистора из нового материала, сочетающего в себе металлы и органические молекулы

Исследование закладывает основу для разработки электродов, отвечающих требованиям различных полупроводников. Ожидается, что это также будет способствовать разработке полупроводников с низким энергопотреблением, работающих при более низком напряжении.

Проводящие металл-органические каркасы (МОК) стали перспективными электронными материалами, однако их использование в качестве функциональных компонентов в полупроводниковых устройствах по-прежнему ограничено из-за сложностей в производстве на уровне устройства

Исследователи изготовили электроды к полевым транзисторам (FET). Транзистор — это базовый полупроводниковый компонент, который включает и выключает ток или регулирует его поток в ответ на электрический сигнал. Подача напряжения на затворный электрод позволяет контролировать поток тока через транзистор. В настоящее время затворные электроды изготавливаются в основном из металлов, которые хорошо проводят электричество. Однако каждый металл обладает фиксированными электронными свойствами. Это затрудняет адаптацию электрода к требованиям конкретного полупроводника.

Проводящие металл-органические каркасы — это материалы, в которых ионы металлов и органические молекулы связаны в единую структуру. Изменение комбинации металлов и органических молекул влияет на электронные свойства материала. Одно из таких свойств — работа выхода, то есть энергия, необходимая электрону для выхода с поверхности материала. Работа выхода влияет на напряжение, при котором полупроводник включается. Таким образом, изменение состава металл-органического каркаса может помочь исследователям в разработке электродов, которые задают напряжение, при котором полупроводник включается.

Пленка Cu₃(C₆O₆)₂, использованная в этом исследовании, имеет работу выхода 4,51 эВ. Это значение находится между значениями для типичных полупроводников n-типа и p-типа, поэтому одна и та же пленка может управлять каналами обоих типов.

Чтобы использовать металл-органический каркас в качестве электрода, его необходимо превратить в тонкую пленку одинаковой толщины. Затем на ней нужно сформировать рисунок, чтобы остались только нужные участки. Материал также необходимо защитить от повреждений во время обработки, поскольку они могут снизить его электропроводность.

Сначала исследователи получили тонкую однородную пленку металл-органического каркаса путем реакции прекурсоров в газовой фазе — этот метод известен как химическое осаждение из газовой фазы (CVD). Затем они использовали свет, чтобы создать четкий рисунок, и удалили ненужные участки, чтобы сформировать электроды с помощью фотолитографии и травления.

Команда применила электроды к трем различным полупроводникам: дисульфиду молибдена n-типа (MoS₂), дителлуриду молибдена p-типа (MoTe₂) и оксидному полупроводнику — оксиду цинка индия и галлия (IGZO). Электроды включали и выключали ток во всех трех материалах.

В устройстве на основе дисульфида молибдена команда исследователей изготовили затвор из металл-органического каркаса и обычный платиновый (Pt) затвор на одном и том же канале, что позволило провести прямое сравнение. Оба затвора показали схожие пороговые напряжения — значения, при которых начинает протекать ток. Они также продемонстрировали схожую подвижность носителей заряда — показатель того, насколько легко заряды перемещаются по каналу. Эти результаты подтвердили, что электрод из нового материала может управлять током так же эффективно, как и обычный металлический электрод.

Исследователи также проверили, можно ли изготавливать электроды в промышленных масштабах. Они разместили 23 транзистора на основе IGZO на одной подложке и сформировали электроды затвора для всех транзисторов за один этап. Все 23 транзистора работали исправно.

Panasonic начала продавать окна, которые вырабатывают электричество — в них «подмешали» перовскит

Японская компания Panasonic начала коммерческие продажи стеклянных перовскитных солнечных панелей, предназначенных для остекления зданий. Пока это предсерийная продукция, которая не появится в строительных магазинах. По-настоящему массовое производство фотоэлектрических стёкол для окон компания начнёт в апреле 2029 года.

Предсерийные изделия выполнены в виде многослойного стекла максимальным размером 1,8 × 1,0 м. Предусмотрены варианты с толщиной стеклянных слоёв 3 + 3 мм и 6 + 6 мм (светочувствительный слой расположен между стёклами), а также с использованием обычного прокатного или более прочного стекла. Поскольку при производстве светочувствительного слоя применяется лазерная гравировка, покупатель может заказать стекло с нанесёнными на него узорами.

В будущем, при массовом производстве, максимальный размер фоточувствительных стёкол увеличится до 1,8 × 1,2 м. Также планируются варианты с толщиной стеклянных слоёв 4 + 4 мм и 5 + 5 мм, а также исполнения в виде многослойного стеклопакета и даже закалённого стекла. В настоящее время компания не раскрывает КПД окон-панелей. Согласно ранее опубликованной информации, он приближался к 18 %. При массовом производстве можно ожидать небольшого снижения эффективности, поэтому ориентироваться стоит на 15–16 %.

Подробнее: https://3dnews.ru/1150419/panasonic-nachala-prodavat-okna-kotorie-virabativayut-elektrichestvo-v-nihpodmeshali-perovskit

Разработан компактный кремниевый оптический модулятор особой конструкции, который передает данные со скоростью до 200 гигабит в секунду (Гбит/с)

Центрам обработки данных, использующим искусственный интеллект, необходимо перемещать огромные объемы данных между чипами, но сделать эти соединения более быстрыми без увеличения энергопотребления по-прежнему непросто.

Исследователи из Японии разработали компактный кремниевый оптический модулятор, который передает данные со скоростью до 200 гигабит в секунду (Гбит/с), используя медленно движущийся свет и встроенный электрический эквалайзер для преодоления ограничения скорости, которое мешало работе аналогичных устройств.

Исследователи объединили две технологии в одном кремниевом устройстве. Его фотонно-кристаллический волновод (крошечная структура, которая направляет свет через кремниевый чип) содержит тщательно продуманную структуру из крошечных отверстий, которая контролирует прохождение света через материал, позволяя ему распространяться медленнее, чем в обычном волноводе.

Обычные кремниевые модуляторы, преобразующие электрические сигналы в свет, обычно имеют размер в несколько миллиметров и сталкиваются с необходимостью компромисса между эффективной модуляцией и высокочастотными характеристиками.

Замедляющий свет усиливает его взаимодействие с устройством, повышая эффективность, но электрическое сопротивление может ограничить скорость реакции модулятора.

Новый дизайн решает обе проблемы, потенциально помогая центрам обработки данных устанавливать больше оптических соединений при одновременном снижении энергопотребления.

«Мы создали кремниевый оптический модулятор на основе фотонно-кристаллического волновода со встроенным электрооптическим эквалайзером, который позволяет преодолеть ограничение полосы пропускания, сохраняя при этом преимущества эффекта замедления света», — сказал Тосихико Баба, один из авторов исследования и профессор Национального университета Ёкохамы.

Этот эффект замедления света усиливает взаимодействие между светом и устройством, позволяя небольшому электрическому изменению вызывать более значительные изменения в исходящем световом сигнале. В результате достигается более эффективная модуляция при меньших размерах.

Однако у обычных модуляторов замедленного света есть проблема. Электрическое сопротивление ограничивает их высокочастотную реакцию, из-за чего они не могут быстро обрабатывать изменяющиеся сигналы.

Чтобы преодолеть это ограничение, исследователи добавили встроенный электрооптический (ЭО) эквалайзер, который помогает модулятору работать с сигналами, меняющимися быстрее. Он регулирует сочетание различных частей светового сигнала, позволяя устройству сохранять работоспособность на более высоких скоростях.

В результате диапазон частот сигнала, с которыми может работать устройство, увеличился с 35 до 80 гигагерц (ГГц) в одной модели и с 23 до 55 ГГц в другой.

Подробнее:  https://russianelectronics.ru/razrabotan-kompaktnyj-kremnievyj-opticheskij-modulyator-osoboj-konstrukczii-kotoryj-peredaet-dannye-so-skorostyu-do-200-gigabit-v-sekundu-gbit-s/

#новостиэлектроники

От функционального тестирования к диагностике: как данные автоматизированных испытаний помогают выявлять скрытые дефекты электронных изделий

Доклад Татьяны Красик, PhD, IEEE Senior Member, независимого исследователя, эксперта в области RF/microwave-измерений и автоматизированного тестирования

https://vkvideo.ru/video-177228143_456239501?list=ln-zO3iYOxmfhEZNUyVi5

Автоматизация управления проектами повысила эффективность инжиниринговой компании "Совтест АТЕ"

«Совтест АТЕ» совместно с ИТ-интегратором «Первый Бит» завершили проект по автоматизации управления проектами.
 
В рамках проекта было внедрено решение «1С:PM Управление проектами» и настроена его интеграция с системами «1С:ERP» и «1С:Документооборот», а также перенесены накопленные данные по действующим проектам. 

 По итогам проекта:
▫️сократили операционные расходы на 15%;
▫️снизили производственные издержки на 10%;
▫️ускорили исполнение заказов на 17%;
▫️ускорили подготовку управленческой отчетности на 70%;
▫️увеличили производительность труда на 6%.

⏩Для чего требовалась автоматизация

Специфика работы «Совтест АТЕ» заключается в большом количестве взаимосвязанных процессов внутри одного заказа, задействующих специалистов разных подразделений. Появилась необходимость перейти от разрозненного управления отдельными задачами к единой цифровой модели управления проектами на уровне всей компании

В результате одни и те же данные могли многократно переноситься вручную, повышался риск ошибок, а руководителям требовалось дополнительное время для сбора информации и подготовки отчетности.

⚙️ Что изменилось после внедрения

После внедрения «1С:PM Управление проектами» «Совтест АТЕ» получило единую среду, в которой проектное управление неразрывно связано с операционным контуром.

Руководители получили:
▫️единый инструмент для создания и ведения проектов;
▫️формирование детализированной структуры проектов;
▫️контроль этапов и сроков;
▫️распределение трудовых ресурсов;
▫️управление материальными потребностями.

Главным результатом проекта стал переход от разрозненных инструментов к сквозному цифровому управлению.

Подписывайтесь на канал "Совтест АТЕ" в МАХ , чтобы быть в курсе новостей и новых проектов предприятия!

Реклама
ООО "Совтест АТЕ"
ИНН 4629047554
erid 2W5zFGT6TMB

За 2026 год цены на SSD выросли на 306%

По данным Tech Insider, в четвертом квартале 2026 года контрактные цены на флеш-память NAND — технологию, лежащую в основе каждого твердотельного накопителя, USB-накопителя и карты памяти на планете, — вырастут еще на 15-20 % по сравнению с предыдущим кварталом. Прогнозируется, что цены на корпоративные твердотельные накопители, которые используются в центрах обработки данных для искусственного интеллекта, за тот же период вырастут на 23-28 %. За этими процентами скрывается более очевидная история: облачные провайдеры, создающие инфраструктуру для искусственного интеллекта, закупают флеш-память быстрее, чем Samsung, SK hynix, Micron, Kioxia и SanDisk успевают ее производить, и потребителям приходится платить разницу.

Цифры говорят сами за себя. Согласно одному из широко цитируемых отраслевых трекеров, контрактная цена твердотельных накопителей TLC емкостью 256 ГБ на период с июля по сентябрь 2026 года составила примерно 134,20 доллара за накопитель, что примерно на 20% выше, чем в предыдущем квартале, и примерно на 303% выше, чем в том же квартале годом ранее, когда стоимость такого накопителя составляла около 33,30 доллара. Сообщается, что за тот же период цена на накопитель емкостью 512 ГБ выросла с 62,40 до 252 долларов. Это контрактные, а не розничные цены, но они объясняют, почему цены на потребительские твердотельные накопители растут весь год. Это проблема дефицита флеш-памяти NAND, а не разовое повышение цен, и она влияет на планы пяти крупнейших мировых производителей памяти на ближайшие три года.

TrendForce повышала свой ежеквартальный прогноз цен на память на протяжении большей части 2026 года, и прогноз на четвертый квартал, опубликованный 24 сентября, стал самым явным сигналом того, что дефицит флеш-памяти NAND не ослабевает. В собственных аналитических заметках компании, приведенных в ее пресс-материалах, говорится, что в первом квартале 2026 года контрактные цены на флеш-память NAND вырастут на 55–60 % по сравнению с предыдущим кварталом, а во втором квартале — на 70–75 % по сравнению с предыдущим кварталом, после чего цены стабилизируются в диапазоне от 15 до 20 % к четвертому кварталу. Согласно прогнозам, только в четвертом квартале 2026 года цены на корпоративные твердотельные накопители, которые гиперскейлеры закупают отдельно от потребительской NAND-памяти, вырастут на 23–28 % по сравнению с предыдущим кварталом.

Эти колебания являются следствием того, что рынок, по мнению TrendForce, разделился на две части. По прогнозам, в 2026 году спрос на корпоративные твердотельные накопители вырастет более чем на 80% по сравнению с прошлым годом, поскольку поставщики облачных услуг расширяют инфраструктуру для искусственного интеллекта, в то время как цены на потребительские накопители NAND, eMMC и UFS меняются сравнительно незначительно, поскольку потребительский спрос остается низким, а ритейлеры все еще распродают старые запасы. На практике это означает, что дата-центр, закупающий QLC-накопители для стоек, конкурирует за те же пластины, что и производитель ноутбуков, закупающий несколько миллионов потребительских твердотельных накопителей, и дата-центр выигрывает.

#новостиэлектроники