Разработка и исследование широкополосного усилителя мощности в диапазоне частот 2-32 ГГц на гетероструктурах нитрида галлия
Статья Е.М. Хеглунд, И.Л. Хеглунд, Б.В. Калинина ,ООО «Микровейв АйСи», в журнале "СВЧ электроника" №2/2026
С развитием современной радиоэлектроники всё больше требований предъявляется к габаритам, диапазону частот и выходной мощности передающих трактов СВЧ модулей. Усилитель с распределенным усилением – специализированный тип СВЧ усилителя позволяет усиливать сигналы в сверхшироком диапазоне частот, работающий по принципу распределённого сложения высокочастотных сигналов, в отличие от классических усилителей с синфазным сложением сигналов.
Гетероструктуры AlGaN/GaN широко используются при создании усилителей мощности СВЧ диапазона. Высокая критическая напряженность электрического поля позволяет увеличить рабочее напряжение стока и пробивное напряжение. А в сочетании с высокой удельной плотностью тока это обеспечивает выходную мощность усилителей на основе таких гетероструктур.
В данной статье представлены результаты разработки и исследования образцов однокаскадного неоднородного усилителя с распределённым усилением (УРУ), работающего в диапазоне 2–32 ГГц. Усилитель был изготовлен на гетероструктурах AlGaN/GaN на подложке SiC по технологии 150 нм.
Статья по ссылке: https://elcomdesign.ru/uncategorized/razrabotka-i-issledovanie-shirokopolosnogo-usilitelya-moshhnosti-v-diapazone-chastot-2-32-ggcz-na-geterostrukturah-nitrida-galliya/
Оформить подписку на журнал
Размещение материалов в журнале
Статья Е.М. Хеглунд, И.Л. Хеглунд, Б.В. Калинина ,ООО «Микровейв АйСи», в журнале "СВЧ электроника" №2/2026
С развитием современной радиоэлектроники всё больше требований предъявляется к габаритам, диапазону частот и выходной мощности передающих трактов СВЧ модулей. Усилитель с распределенным усилением – специализированный тип СВЧ усилителя позволяет усиливать сигналы в сверхшироком диапазоне частот, работающий по принципу распределённого сложения высокочастотных сигналов, в отличие от классических усилителей с синфазным сложением сигналов.
Гетероструктуры AlGaN/GaN широко используются при создании усилителей мощности СВЧ диапазона. Высокая критическая напряженность электрического поля позволяет увеличить рабочее напряжение стока и пробивное напряжение. А в сочетании с высокой удельной плотностью тока это обеспечивает выходную мощность усилителей на основе таких гетероструктур.
В данной статье представлены результаты разработки и исследования образцов однокаскадного неоднородного усилителя с распределённым усилением (УРУ), работающего в диапазоне 2–32 ГГц. Усилитель был изготовлен на гетероструктурах AlGaN/GaN на подложке SiC по технологии 150 нм.
Статья по ссылке: https://elcomdesign.ru/uncategorized/razrabotka-i-issledovanie-shirokopolosnogo-usilitelya-moshhnosti-v-diapazone-chastot-2-32-ggcz-na-geterostrukturah-nitrida-galliya/
Оформить подписку на журнал
Размещение материалов в журнале