Китай представил прототип источника экстремального ультрафиолетового излучения (EUV) для производства чипов

Массовое производство начнется через 3–5 лет

По информации TrendForce, компания Langdao Silex представила свой первый прототип источника EUV на 26-й Китайской международной промышленной выставке. По словам сотрудников, система на 90% состоит из отечественных компонентов, а большинство основных компонентов разработано внутри компании. Она использует технический подход, аналогичный тому, что применяют ведущие международные поставщики, и может использоваться для тестирования воздействия на микросхемы.

По информации с официального сайта Langdao Silex, согласно которым маломощный источник EUV-излучения FlintNano LPP-OXXO, основанный на технологии лазерной плазмы (LPP), оснащен управляющим лазером мощностью 1000 Вт, частотой повторения импульсов 1–20 кГц, эффективностью преобразования более 2 %, яркостью 100 Вт/мм²ср и мощностью EUV-излучения более 15 Вт. Система поддерживает более 100 часов непрерывной работы, имеет размер плазмы 60 мкм, среднеквадратичное отклонение стабильности плазмы 3 % и стабильность энергопотребления 5 %.

Серия мощных источников света EUV FlintMicro-LPP прошла проверку на соответствие заявленным характеристикам, а серия маломощных источников FlintNano-LPP вышла на стадию производства.

Однако технический персонал Langdao Silex заявил, что до крупномасштабного коммерческого производства прототипа еще три-пять лет, и он требует дальнейшей инженерной разработки и оптимизации. Основные проблемы заключаются в увеличении выходной мощности и повышении долгосрочной стабильности работы.

Между технологией Langdao Silex и коммерческими требованиями к EUV-литографии сохраняется значительный разрыв. Как отмечает ICsmart, коммерческим системам литографии обычно требуются источники света для EUV-литографии мощностью в несколько сотен ватт, обеспечивающие стабильную работу. Компания ASML использует источники света EUV мощностью 250 Вт в серийном производстве с 2018 года и планирует увеличить мощность до 1000 Вт.

Прототип, представленный компанией Langdao Silex на отраслевой выставке, демонстрирует осуществимость технического подхода, но для его внедрения в промышленное производство необходимо решить ряд серьезных проблем. По данным ICsmart, переход от мощности EUV-литографии около 15 Вт к мощности в несколько сотен ватт, необходимой для коммерческого производства, потребует не только значительного увеличения мощности, но и существенного повышения стабильности плазмы, увеличения срока службы источника света и надежности системной интеграции.

#новостиэлектроники
Просмотры: 51
Открыть в MAX Сообщить о неточности

Сообщить о неточности

Опишите, что нужно исправить. Если есть источник, добавьте ссылку.

Вы покидаете datool.ru

Ссылка ведёт на внешний сайт. datool.ru не отвечает за его содержимое — проверьте адрес, прежде чем вводить пароли или платёжные данные.

Переход через 10 с

Перейти