Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) представила на выставке IC China 2025 собственные модули DDR5 и LPDDR5X, становясь конкурентом Samsung, Micron и SK Hynix в условиях дефицита.

DDR5: максимальная скорость 8000 Мбит/с, объём чипа 24 гигабита (3 ГБ). Семь продуктов: RDIMM, MRDIMM, TFF MRDIMM (для ЦОД и серверов); модули для настольных ПК; SODIMM для ноутбуков; CUDIMM и CSODIMM (с управлением тактовой частотой, для быстрых рабочих станций, соответствуют стандартам JEDEC 2024, устраняют ослабление высокочастотного сигнала интеграцией чипов CKD).

LPDDR5X: максимальная скорость 10667 Мбит/с, модули по 16 гигабит (2 ГБ), варианты 12, 16, 24, 32 ГБ.

CXMT выпустила полный ассортимент модульных продуктов с собственной NAND, охватывающий сценарии от облачных вычислений до периферии. На рынке серверов (наибольшая доля DRAM) модули RDIMM охватывают конфигурации основных платформ. Руководитель маркетингового отдела CXMT Луо Сяодун отметил, что взрывной рост спроса на DRAM влияет на рынок и цены. Китаю необходим собственный стабильный источник DRAM для уменьшения зависимости от западных производителей. Разгрузка внутреннего китайского рынка могла бы уменьшить общий мировой дефицит памяти (тройка SK Hynix – Samsung – Micron могла бы больше ориентироваться на остальной мир). Контекст: CXMT становится конкурентом в условиях дефицита. Модули соответствуют образцам ведущих производителей.