Micron удвоила плотность флеш-памяти и перешагнула рубеж в 400 слоёв NAND
Micron Technology раскрыла планы на следующее поколение трёхмерной флеш-памяти, пропустив в названии индекс G10 и сразу анонсировав G11. Производитель официально подтвердил, что количество слоёв превысило отметку в 400. Это минимум на 45% больше, чем у текущего поколения G9 с 276 слоями.
Благодаря новому техпроцессу и рекордно малому шагу ячеек битовая плотность G11 примерно вдвое выше по сравнению с G9. Если экстраполировать прежний показатель в 21 Гбит на квадратный миллиметр для TLC-памяти, то для новинки можно ожидать около 42 Гбит/мм².
Инженеры заявляют и о разгоне интерфейса: скорость передачи данных между контроллером и NAND вырастет на 50% относительно G9, с 3,6 Гбит/с до примерно 5,4 Гбит/с. При этом энергопотребление на передачу одного бита снизится более чем на 25%.
Подробнее:
https://www.ixbt.com/news/2026/10/24/micron-udvoila-plotnost-fles-pamiati-i-peresagnula-rubez-v-400-sloev-nand.html