Ученые Московского физико-технического института (МФТИ) разработали…

Ученые Московского физико-технического института (МФТИ) разработали первую в России технологию изготовления транзисторов на основе дисульфида молибдена — двумерного полупроводника, который считается одним из главных кандидатов на замену кремния в электронике будущего

Главным преимуществом нового материала называется его чрезвычайно малая толщина. Если современные кремниевые транзисторы создаются по техпроцессам порядка 2 нанометров, то активный слой дисульфида молибдена имеет толщину всего около 0,65 нанометра

Исследователи также считают, что такие транзисторы потенциально могут быть в сотни раз энергоэффективнее кремниевых аналогов, а значит — значительно меньше нагреваться и потреблять меньше энергии

📸 МФТИ