🔌 Infineon запускает первое в мире производство GaN-чипов на гигантских пластинах

Австрийский завод Infineon Technologies в Филлахе получит €319 млн европейских субсидий на революционный апгрейд. Компания намерена первой в мире наладить массовый выпуск силовых полупроводников на основе нитрида галлия (GaN) с использованием 300-миллиметровых пластин — до сих пор отрасль работала с 200-мм форматом. Общий чек проекта Empowering Fab — €1,1 млрд, первые чипы с обновлённых линий выйдут к концу 2027 года.

Переход на крупные пластины даёт в 2,3 раза больше чипов с одной заготовки — это радикально снижает себестоимость и открывает дорогу GaN в массовый сегмент. Нитрид галлия превосходит кремний в силовой электронике: высокая частота переключения, минимальные потери энергии, компактные блоки питания без громоздкого охлаждения. Infineon нацелена на AI-серверы (где счёт идёт на киловатты), электромобили, робототехнику и возобновляемую энергетику.

Аналитики Yole Group прогнозируют рост мирового рынка силовых GaN-компонентов до $3,5 млрд к 2031 году — средний темп +35% в год. Infineon обязуется открыть свои лаборатории университетам и стартапам, а европейская сторона получит долю от сверхприбыли проекта.

Европа делает ставку на технологическую независимость — без таких заводов континент остаётся заложником азиатских поставщиков в эпоху AI и электрификации транспорта.

📡 Мгновенные новости — в нашем Telegram-канале