Диэлектрик для электроники

Материалы с высокой диэлектрической проницаемостью, заменяющие в электронике диоксид кремния, позволяют создавать полупроводниковые устройства с пониженным напряжением питания и электропотреблением. Специалисты ИФП СО РАН изучили характеристики сверхтонких пленок диэлектриков на основе диоксида гафния, помещенного внутрь кремния. С помощью легирования оксидом алюминия (соотношение 15/1) ученые стабилизировали орторомбическую фазу пленок до температур в 900ºС. Пленки являются сегнетоэлектриками и сохраняют свою поляризацию при выключении внешнего электрического поля. Этот позволяет применять их для создания ячеек энергонезависимой памяти с высокой частотой переключения и ресурсом на порядок выше существующего. Пластины кремния с внутренним слоем дают возможность сформировать двухзатворные транзисторы с регулируемым порогом срабатывания.

Источник: Наука в Сибири

Канал автора: https://t.me/medneus