Micron раскритиковала подход CXMT к модулям RDIMM DDR5 — серверной оперативной памяти, заявив, что технология 4F² не дает существенных преимуществ и требует более дорогого производства.

CXMT планирует вывести на рынок модули с архитектурой транзисторов 4F². F — площадь одной ячейки памяти, а традиционный техпроцесс 6F² предполагает больший размер ячеек. Уплотнения в CXMT достигли за счет перехода к вертикальным транзисторам, однако Micron считает такой подход тупиковым.

Технический директор Micron Скотт де Бур сообщил, что компания более 20 лет изучала подход 4F² и решила остаться на классической технологии 6F², продолжив развивать 3D DRAM — динамическую оперативную память. «Есть заблуждение, будто 4F² действительно даёт какие-то преимущества по сравнению с 6F². На самом деле именно шаг между конденсаторами определяет характеристики DRAM».

По словам де Бура, CXMT вынуждена использовать 4F² из-за отсутствия доступа к современным литографам. При этом в долгосрочной перспективе полностью вертикальная 3D DRAM на оборудовании ASML для литографии с экстремальным ультрафиолетом (EUV), по его мнению, окажется лучше.

💻 ТехноБаза — Подписаться