Все приборы, о которых я писала в этом месяце, являются полупроводниковыми. Но такие приборы были не всегда, как легко догадаться.
В 1833 Фарадей заметил, что электропроводность серебра повышается при нагревании. После него Беккерель открыл, что есть материалы, меняющие электропроводность под воздействием света. Ещё два основополагающих открытия были сделаны Брауном и Шустером: об изменении сопротивления в зависимости от величины, направления и продолжительности тока (это открытие привело к разработке технологии выпрямления тока); и о схожем эффекте между чистой и окисленной медью - Cu действует как полупроводник.
Исследовать полупроводники удалось лишь в 1920-1940-х годах, когда ученые смогли объяснить их устройство материалов на атомарном уровне.
Транзистор создали ученые из лабораторий корпорации Bell. Они начали изучать потенциал p-n перехода полупроводников еще в середине 1930-х. Однако из-за Второй Мировой войны почти всем передовым физикам пришлось изменить вектор работы и исследования остановились на несколько лет.
Первый рабочий транзистор был создан в конце 1947 года. В качестве полупроводника в нем был использован германий (Ge) — его научились очищать и выращивать раньше, чем кремний (Si). Транзистор разработала группа инженеров во главе с Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном Бардином. В 1950 году Шокли получил патент на оригинальный транзистор, а Браттейн и Бардин — на его трехэлектродную версию. В 1956 году все трое были награждены Нобелевской премией по физике. (Бардин получил эту премию дважды — в 1972 году он вместе с двумя другими физиками был награждё ей за разработку теории сверхпроводимости).
Уже в 1959 году инженер Жан Эрни разработал планарную технологию производства транзисторов. Она позволила уменьшить утечки электричества и сделать транзисторы плоскими и компактными. По такой технологии они производятся и сегодня. Именно это открытие сделало возможным создание интегральной микросхемы.
Главной проблемой электроники тех лет была перегруженность чипов проводкой — каждый элемент приходилось соединять с другим. При этом все они выделяли тепло и чипы быстро перегревались. Для того, чтобы исправить это, в 1959-1960 годах ученые придумали соединять их через единую подложку из полупроводникового материала.
В 1965 году Гордон Мур, директор по исследованиям Fairchild Semiconductor, сформулировал закон, получивший его имя: количество электронных компонентов на чипе будет удваиваться каждые два года. Также он предсказал, что вместимость чипов станет основным параметром развития всей электроники. Закон выполнялся достаточно долго, но сейчас это уже не так.
В 1833 Фарадей заметил, что электропроводность серебра повышается при нагревании. После него Беккерель открыл, что есть материалы, меняющие электропроводность под воздействием света. Ещё два основополагающих открытия были сделаны Брауном и Шустером: об изменении сопротивления в зависимости от величины, направления и продолжительности тока (это открытие привело к разработке технологии выпрямления тока); и о схожем эффекте между чистой и окисленной медью - Cu действует как полупроводник.
Исследовать полупроводники удалось лишь в 1920-1940-х годах, когда ученые смогли объяснить их устройство материалов на атомарном уровне.
Транзистор создали ученые из лабораторий корпорации Bell. Они начали изучать потенциал p-n перехода полупроводников еще в середине 1930-х. Однако из-за Второй Мировой войны почти всем передовым физикам пришлось изменить вектор работы и исследования остановились на несколько лет.
Первый рабочий транзистор был создан в конце 1947 года. В качестве полупроводника в нем был использован германий (Ge) — его научились очищать и выращивать раньше, чем кремний (Si). Транзистор разработала группа инженеров во главе с Уильямом Шокли, Уолтером Браттейном и Джоном Бардином. В 1950 году Шокли получил патент на оригинальный транзистор, а Браттейн и Бардин — на его трехэлектродную версию. В 1956 году все трое были награждены Нобелевской премией по физике. (Бардин получил эту премию дважды — в 1972 году он вместе с двумя другими физиками был награждё ей за разработку теории сверхпроводимости).
Уже в 1959 году инженер Жан Эрни разработал планарную технологию производства транзисторов. Она позволила уменьшить утечки электричества и сделать транзисторы плоскими и компактными. По такой технологии они производятся и сегодня. Именно это открытие сделало возможным создание интегральной микросхемы.
Главной проблемой электроники тех лет была перегруженность чипов проводкой — каждый элемент приходилось соединять с другим. При этом все они выделяли тепло и чипы быстро перегревались. Для того, чтобы исправить это, в 1959-1960 годах ученые придумали соединять их через единую подложку из полупроводникового материала.
В 1965 году Гордон Мур, директор по исследованиям Fairchild Semiconductor, сформулировал закон, получивший его имя: количество электронных компонентов на чипе будет удваиваться каждые два года. Также он предсказал, что вместимость чипов станет основным параметром развития всей электроники. Закон выполнялся достаточно долго, но сейчас это уже не так.