МОП-транзисторы (металл-окисел-полупроводник).

Полупроводниковым материалом чаще всего является кремний (Si), а металлический затвор отделяется от канала тонким слоем изолятора — диоксида кремния (SiO2). Если SiO2 заменён неоксидным диэлектриком (Д), используется название МДП-транзистор. Это разновидность полевого транзистора, в котором ток через проводящий канал регулируется с помощью электрического поля, создаваемого напряжением на изолированном затворе. 

В отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током, транзисторы с изолированным затвором управляются напряжением, так как затвор изолирован от стока и истока; такие транзисторы обладают очень высоким входным сопротивлением.
Впервые выращивать предложил их Мартин Аттала в 1959 году, в том же году он и его коллега, Дион Канг, создали первый работоспособный МОП-транзистор. Первые серийные МОП-транзисторы вышли на рынок в 1964 году (что, по-моему, очень быстро), а уже в 1970-е годы МОП-микросхемы завоевали рынки микросхем памяти и микропроцессоров. В начале XXI века доля МОП-микросхем достигла 99 % от общего числа выпускаемых интегральных схем.

Основные преимущества у них следующие:
✅ Очень высокое входное сопротивление, что позволяет управлять ими с минимальной мощностью.
✅ Быстрое переключение, что критично для цифровых схем и импульсных источников питания.
✅ Компактность, позволяющая создавать высокоплотные интегральные схемы.

МОП-транзисторы — основа современной электроники. Они являются самым массово производимым промышленным изделием, с 1960 года по 2018 год их было произведено около 1.3×10^21 штук. Такие транзисторы используются в современных цифровых микросхемах, являясь основой КМОП-технологии.